砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數量級以上的半絕緣高阻材料，用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點，此外，還可以用于制作轉移器件──體效應器件。

檢測樣品：砷化鎵外延片、單晶、晶片、載流子等。

檢測項目：外形尺寸、表面質量、偏離度檢測、切口測試、電學性能檢測、載流子濃度測試、電阻率檢測、截面電阻率不均勻性、遷移率測試、位錯密度、電學性能、導電類型、霍爾遷移率、電阻率檢測、位錯密度檢測等。

GB/T 8757-2006 砷化鎵中載流子濃度等離子共振測量方法

GB/T 8758-2006 砷化鎵外延層厚度紅外干涉測量方法

GB/T 8760-2020 砷化鎵單晶位錯密度的測試方法

GB/T 11068-2006 砷化鎵外延層載流子濃度電容-電壓測量方法

GB/T 11093-2007 液封直拉法砷化鎵單晶及切割片

GB/T 11094-2020 水平法砷化鎵單晶及切割片

GB/T 20228-2021 砷化鎵單晶

GB/T 25075-2010 太陽能電池用砷化鎵單晶

SJ 3242-1989 砷化鎵外延片

SJ 20714-1998 砷化鎵拋光片亞損傷層的X射線雙晶衍射試驗方法

SJ/T 11497-2015砷化鎵晶片熱穩定性的試驗方法

1.擁有眾多先進儀器設備并通過CMA/CNAS資質認可，測試數據準確可靠，檢測報告具有國際公信力。

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